めっき(分類)

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 JIS H0400「電気めっき及び関連処理用語」,JIS H 0201「アルミニウム表面処理用語」の中から,めっきの分類に関する用語を抜粋しました。

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用語 対応英訳 定義・解説 出典
防食めっき electroplating for corrosion prevention 製品に耐食性を付与するために行うめっき。 H0400
溶融めっき法 hot dip metal coating, めっきしようとする物を溶融金属中に浸せきして,表面に金属皮膜を形成する方法。 H0400
電気めっき electroplated coating, electroplating 金属又は非金属表面に金属を電気化学的に析出させた皮膜。 H0400
電気めっき electroplating 金属又は非金属表面に金属を電気化学的に析出させる方法。 H0201
無電解めっき法 electroless plating 外部電源を用いずに,金属を化学的に還元析出させる方法。 H0400
無電解めっき aluminium porcelain enamelling, aluminium vitreous enamelling アルミニウム及びその合金用のほうろうゆう薬を焼き付ける表面処理。 H0201
肉盛りめっき法 salvage plating, electro sizing 寸法不足を補うことを目的として施すめっき方法。 H0400
装飾めっき decorative plating 製品に美観を付与するために行うめっき。 H0400
機能めっき plating for functional use めっき皮膜そのものの特性を利用するために行うめっき。 H0400
複合めっき composite coatings, composite plating 繊維状,粒子状などの分散相をもつ複合材料の電気めっき。 H0400
合金めっき alloy platings, electroplated coatings of alloy 2種類又はそれ以上の金属及び金属と非金属の合金の電気めっき。 H0400
多層めっき multilayer deposits 2層又はそれ以上の金属を析出した電気めっき。 H0400
下地めっき undercoat 多層めっきの下地となるメッキ皮膜。 H0400
亜鉛めっき zinc plating 亜鉛イオンや亜鉛錯イオンを含む電解質に直流又はパルス電流を流して,陰極上に金属亜鉛を析出させる処理。 H0400
亜鉛合金めっき zinc alloy plating 亜鉛メッキ液に,他の金属イオン又は錯イオンを添加して通電し,陰極上に亜鉛と添加金属の合金を析出させる処理。 H0400
亜鉛置換法 zinc immersion process, zincate conversion process 亜鉛イオンを含む溶液にアルミニウムを浸せきし,その表面に化学的に亜鉛を析出させる方法。電気めっきの下地処理として行われる。 H0201
すずめっき tin plating すずイオンやすず錯イオンを含む電解質に直流又はパルス電流を流して,陰極上に金属すずを析出させる処理。 H0400
すず合金めっき tin alloy plating すずめっき液に,他の金属イオン又は錯イオンを添加して通電し,陰極上にすずと添加金属を析出させる処理。 H0400
装飾用クロムめっき decorative chromium plating 製品の美観のため仕上げめっきとして行われるクロムメッキ。 H0400
工業用クロムめっき,硬質クロムめっき electroplated coatings of chromium for engineering purpose, industrial chromium plating, hard chromium electroplating 主として耐磨耗性を付与する目的で施した比較的厚いクロムめっき。 H0400
マイクロポーラスクロムめっき microporous chromium plating 微細な穴が均一に分布したクロムメッキ。 H0400
マイクロクラッククロムめっき microcracked chromium plating 微細な割れが均一に分布されるように施すクロムめっき。 H0400
ポーラスクロムめっき porous chromium plating あらかじめ表面を粗にしてクロムめっきをするか,又はメッキ後その表面をエッチングによって多孔性とし,油の保持性を与えるクロムメッキ H0400
銅めっき copper plating 銅イオン又は銅錯イオンを含む電解質に直流若しくはパルス電流を流して,陰極上に金属銅を析出させる処理。 H0400
黄銅めっき brass plating 銅イオン,亜鉛イオン又はそれらの錯イオンを含む電解質に直流又はパルス電流を流して,陰極上に銅と亜鉛の合金を析出させる処理。
参考:銅-亜鉛の合金めっきで,真鍮めっき(真ちゅうめっき)ともいう。
H0400
ニッケルめっき nickel plating ニッケルイオンを含む電解質に直流又はパルス電流を流して,陰極上に金属ニッケルを析出させる処理。 H0400
二層ニッケルめっき法 duplex nickel plating 第1層に硫黄を含まない無光沢又は半光沢のニッケルメッキを施し,その上に硫黄を含む光沢ニッケルメッキを施す方法。 H0400
銀めっき silver plating 銀イオンや銀錯イオンを含む電解質に直流又はパルス電流を流して,陰極上に金属銀を析出させる処理。 H0400
金めっき gold plating 金イオンや金錯イオンを含む電解質に直流又はパルス電流を流して,陰極上に金属金を析出させる処理。
参考:金含有率が99.9%以上の電気めっき。
H0400
金合金めっき gold alloy plating 金めっき液に他の金属イオンを添加して通電し,陰極上に金属金と添加金属を析出させる処理。
参考:金含有率が58.5%以上99.9%未満の電気めっき。
H0400
静止めっき法 vat plating, (USA, still plating) 品物を個々に陰極に取り付けてメッキする方法。 H0400
バレルめっき法 barrel (electro) plating 回転容器中で行う電気めっき法。 H0400
変調電流めっき法 modulated current plating, interrupted electro plating 陰極電流密度を周期的に変えて行う方法。
参考:変調電流めっき法には,断続めっき法,不完全整流法,PR法などがある。また,サイクル数は通常数分を超えず,交流と直流とを重ね合わせる場合ははるかに少ない。
H0400
断続めっき法 interrupted electroplating 直流電流を周期的に中断させたり減少させて行うめっき方法。 H0400
パルスめっき法 pulse plateing パルス波形の電流を用いて行うメッキ方法。 H0400
重畳電流めっき法,重畳めっき法 superimposed current electroplating, (UK, surge platein) (USA, ripple plating) 直流電流にサージ,リプル,パルス,交流などの脈流を重畳させ,周期的に電流を調整しながら行うめっき方法。 H0400
PRめっき,PR法 periodic reverse electroplating, periodic reverse current plating 電流の方向を周期的に変えて行うめっき方法。 H0400
ストライクめっき,ストライク strike, strike plating a)後工程で行われる皮膜の析出を促進するための電着金属の薄膜。
b)この膜を得るために特に調製された溶液。
c)薄膜 a)を得るために,異なる組成の浴か,又は後の過程とは異なる作業条件で比較的短時間に行うめっき。
H0400
フラッシュめっき,フラッシュ flash, flash plating 極めて短時間に行う薄いめっき方法。
参考:この用語は,最終被覆だけに使用するとよい。同じ性質の中間皮膜には,ストライクを使用する。
H0400
筆めっき brush (electro) plating, tampon plating めっき液を筆やスポンジなどに吸収させて陽極とし,陰極にした品物をこすってめっきする方法。 H0400
自己触媒めっき法 autocatalytic plating 化学還元作用によって金属を析出させ,還元される金属そのものも触媒として働く方法。 H0400
非触媒めっき法 non-autocatalytic plating 化学還元作用によって金属を析出させ,還元される金属は触媒としては働かない方法。 H0400
浸せきめっき法,置換めっき法 immersion plating 置換反応によって物体の表面に金属の皮膜を形成する方法。 H0400
接触めっき法 contact plating, galvanic contact plating 析出する金属の化合物を含む溶液中で,下地を他の金属と接触するように浸漬し,下地上に金属を析出させる方法。 H0400
浸せき析出法 immersion deposit 置換反応によって金属を被覆する方法。 H0400
気相めっき,ドライプロセス dry process, vapor deposition 気相状態を用いて材料表面をめっきする方法。ドライプロセスともいう。
参考:PVD(物理蒸着法)とCVD(化学蒸着法)とがある。
H0400
物理蒸着 physical vapor deposition 高温加熱,スパッタリングなどの物理的方法で物質を蒸発し,基板に凝縮させ,薄膜を形成する方法。略称:PVD。
参考:真空蒸着,イオンプレーティング,スパッタリングなどの総称。
H0400
真空蒸着 vacuum evaporation 真空中で物質を加熱蒸発し,基板上に薄膜を形成する成膜法。 H0400
イオンプレーティング ion plating 電界を印加して発生したプラズマを利用し,蒸発原子をイオン化又は励起させ,基板上に薄膜を形成する成膜法。 H0400
スパッタリング sputtering 加速された粒子が固体表面に衝突したとき,運動量の交換によって固体を構成する原子が空間へ放出される現象,及びこの現象を用いた成膜法。 H0400
化学蒸着 chemical vapor deposition 気相化学反応によって,基板上に膜を形成させる方法。略称:CVD。 H0400
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